什么是吸收電容？吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。一般常用在有絕緣柵雙極型晶體管，消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。

吸收電容的技術(shù)參數(shù)
電容量: 0.0047  6.8μF
額定電壓: 700  3000 Vdc
損耗角正切:
測(cè)試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.
Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF
測(cè)試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐電壓: 2Ur (DC)測(cè)試條件 10s，t 25±5℃，1Min
工作溫度: -40~+85℃          B6-6 

吸收電容在變頻器中的應(yīng)用


1、電容電流的主電器圖：

2、電路中電容對(duì)應(yīng)EACO電容型號(hào)：
   DC-LNK電容C1：SHG、SHD、SHE、SHC

   IGBT保護(hù)電容C2、C3、C4：STM、STD、STC、STF、STS、STE

3、電容選擇要點(diǎn)介紹
   DC-LNK電容C1

電壓選擇：跟據(jù)客戶設(shè)備使用電壓來(lái)選擇，電容額定電壓不低于客戶使用電壓。

容量選擇：替代電解電容的容量為：電解電容容量的1/3~1/4。

如未用過(guò)電解電容的，C1容量為：30~50UF每KW的功率（電壓超過(guò)1500V.DC時(shí)可以適當(dāng)降低）。
注：同時(shí)需了解設(shè)備的使用場(chǎng)合、功率、電壓等級(jí)、原電解使用容量和電壓、IGBT使用頻率。

   IGBT保護(hù)電容

電壓選擇：跟據(jù)客戶IGBT電壓等級(jí)來(lái)選擇，電容額定電壓一般不低于客戶使用電壓。

容量選擇：C2、C3、C4容量為：IGBT實(shí)際工作電流每100A使用容量大約1UF。在此我們推薦470UF25V貼片電解電容，具體參數(shù)和詳細(xì)介紹請(qǐng)?jiān)?a href="/dzdr.html" class='con_kwd' title="電阻電容">電阻電容系列產(chǎn)品里了解。

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